無錫紫光微電子開發(fā)的高壓超結(jié)MOSFET器件,基于電荷平衡理論并采用先進(jìn)的深槽刻蝕技術(shù),可顯著降低器件的導(dǎo)通電阻和柵電荷,改善其靜態(tài)和動態(tài)特性。在開關(guān)電源、充電器、LED照明等市場應(yīng)用中,該系列產(chǎn)品可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多種拓?fù)湫问降碾娐方Y(jié)構(gòu),顯著減小系統(tǒng)的功率損耗并提高轉(zhuǎn)換效率。
SMPS | Topology | Voltage class |
AC / DC | PFC | 600 |
DC / DC | Two Switch Forward DC-DC(TTF) | 600 |
Fixed Frequency Flyback | 650 | |
Single Stage | 650/600 | |
LLC Half Bridge DC-DC | 650/600 | |
Quasi-Resonant Flyback DC-DC | 900 | |
Active Clamp Forward | 800 | |
ZVS Asym. Half Bridge DC-DC | 650/600 | |
ITTF | 600/500 |